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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210975524.7 (22)申请日 2022.08.15 (71)申请人 武汉锐科光纤激光 技术股份有限公 司 地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区高 新大道999号 (72)发明人 王进 张平 闫大鹏 刘晓旭 龚勋 (74)专利代理 机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 杨婉秋 (51)Int.Cl. G01N 21/01(2006.01) G01N 21/95(2006.01) (54)发明名称 光纤内部缺陷的检测方法和检测装置 (57)摘要 本申请提供一种光纤内部缺陷的检测方法 和检测装置, 检测方法包括: 将待测光纤置于目 标环境, 以使待测光纤保持目标状态; 待测光纤 包括相对设置的两端; 从待测光纤的一端入射检 测光, 以得到从待测光纤的另一端出射的检测 光; 入射的检测光为单基模光, 出射的检测光包 括单基模光和非基模光; 分别获取出射的检测光 中的单基模光和非基模光的功率; 根据出射的检 测光中的单基模光和非基模光的功率, 确定待测 光纤内部缺陷的数量等级。 通过将非基模光的产 生与光纤内部的微观缺陷进行关联, 根据获取的 出射的检测光中的单基模光和非基模光的功率, 确定待测光纤内部缺陷的数量等级, 从而在一定 程度上量化衡量光纤中的缺陷的数量并反映缺 陷的严重程度。 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 CN 115266593 A 2022.11.01 CN 115266593 A 1.一种光纤内部缺陷的检测方法, 其特 征在于, 包括: 将待测光纤置于目标环境, 以使所述待测光纤保持目标状态; 所述待测光纤包括相对 设置的两端; 从所述待测光纤的一端入射检测光, 以得到从所述待测光纤的另一端出射的检测光; 入射的所述检测光 为单基模光, 出射的所述检测光包括单基模光和非基模光; 分别获取 出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率; 根据出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率, 确定所述待测光纤内部缺陷 的数量等级。 2.根据权利要求1所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述待测光纤包括纤 芯和包围所述纤芯的包层; 所述从所述待测光纤的一端入射检测 光, 以得到从所述待测光 纤的另一端出射的检测光的步骤, 包括: 从所述待测光纤的一端的纤芯入射单基模光, 以得到从所述待测光纤的另一端的纤芯 出射的单基模光和另一端的包层出射的非基模光。 3.根据权利要求2所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述分别获取出射的 所述检测光中的单基模光和非基模光的功率的步骤, 包括: 检测获取 出射的所述检测光的功率; 对出射的所述检测光中的非基模光进行剥除, 以检测获取出射的所述检测光在剥除所 述非基模光后的功率; 根据出射的所述检测光的功率和出射的所述检测光在剥除非基模光后的功率, 分别确 定出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率。 4.根据权利要求3所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 按照预设剥离效率对 出射的所述检测光中的非基模光进行剥除; 所述根据出射的所述检测光的功 率和出射的所 述检测光在剥除非基模光后的功 率, 分别确定出射的所述检测光中的单基模光和非基模光 的功率的步骤, 包括: 根据出射的所述检测光的功率、 出射的所述检测光在剥除非基模光后的功率以及所述 预设剥离效率, 分别确定出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率。 5.根据权利要求1所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述根据所述出射的 所述检测光中的单基模光和非基模光的功率, 确定所述待测光纤内部缺陷的数量等级的步 骤, 包括: 根据出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率, 确定出射的所述检测光的中 单基模光和非基模光的功率之比, 得到所述待测光纤的转 光比; 将所述待测光纤的转光比与 预先建立的目标转光比进行比较, 以确定所述待测光纤内 部缺陷的数量 等级。 6.根据权利要求5所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述目标转光比包括 第一转光比和第二 转光比, 所述目标转 光比的建立方法包括以下步骤: 获取属于同一 规格的多个样本光纤的转 光比; 将所述多个样本光纤的转 光比按照从大到小 进行排序; 将排名在前百分之二十的转光比中的最小转光比作为第 一转光比, 将排名在前百分四 十的转光比中的最小转 光比作为第二 转光比。权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 115266593 A 27.根据权利要求6所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述将所述待测光纤 的转光比与预先建立的目标转光比进 行比较, 以确定所述待测光纤内部缺陷的数量等级的 步骤包括: 如果所述待测光纤的转光比大于或者等于所述第 一转光比, 确定所述待测光纤内部缺 陷的数量 等级为第一 等级; 如果所述待测光纤的转光比小于所述第 一转光比且大于或者等于所述第 二转光比, 确 定所述待测光纤内部缺陷的数量 等级为第二 等级; 如果所述待测光纤的转光比小于所述第 二转光比, 确定所述待测光纤内部缺陷的数量 等级为第三等级; 其中, 所述第一等级、 所述第二等级以及第三等级分别对应样本光纤内部 缺陷的数量依次增多。 8.根据权利要求1所述的光纤内部缺陷的检测方法, 其特征在于, 所述将待测光纤置于 目标环境, 以使所述待测光纤保持目标状态的步骤, 包括: 将待测光纤在目标温度 条件下置于 固定线槽 中, 以使所述待测光纤保持目标缠绕状态 或者线性状态。 9.一种光纤内部缺陷的检测装置, 其特 征在于, 包括: 光纤放置模块, 用于将待测光纤置于目标环境, 以使所述待测光纤保持目标状态, 所述 待测光纤包括相对设置的两端; 光源模块, 用于从所述待测光纤的一端入射检测光, 入射的所述检测光 为单基模光; 收光模块, 用于得到从所述待测光纤的另一端出射的检测光, 出射的所述检测光包括 单基模光和非基模光; 功率获取模块, 用于分别获取 出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率; 缺陷等级确定模块, 用于根据出射的所述检测光中的单基模光和非基模光的功率, 确 定所述待测光纤内部缺陷的数量 等级。 10.根据权利要求9所述的光纤内部缺陷的检测装置, 其特征在于, 所述待测光纤为单 模光纤或者多模光纤。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 115266593 A 3
专利 光纤内部缺陷的检测方法和检测装置
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