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ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T14844—2018 代替GB/T14844—1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14844—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14844一1993《半导体材料牌号表示方法》,与GB/T14844一1993相比主要技术 变化如下: 修改了范围中本标准适用性的描述(见第1章,1993年版的第1章); 一 将原3.1.1中生产方法和用途分成两项,并对牌号表示方法排序进行调整,名称为第一项,生 产方法为第二项(见3.1.1,1993年版的3.1); 法”和其他生产方法表示形式参照以上方法进行”(见3.1.3,1993年版的3.1.1); 修改了“N表示块状”为“C表示块状”,并增加了“G表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式 参照以上方法进行”(见3.1.4,1993年版的3.1.3); 一增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”(见3.1.6); 一调整了单晶牌号表示方法排序(见3.2.1,1993年版的3.2); 一增加了示例如硅单晶Si、化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化钢单晶InSb、磷 化单晶GaP和磷化铟单晶InP等"(见3.2.2); 增加了“C表示铸锭法”(见3.2.3); 一增加了导电类型示例“例如N型导电类型掺杂元素有磷P、Sb、砷As,P型导电类型掺杂元 素有硼B,区熔气相掺杂用FGD表示等”(见3.2.4); 一增加了示例"例如晶向<111)、<100)和<110)等”(见3.2.5); 一增加了示例“如硅片Si、化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑化钢片InSb、磷化镓片GaP 和磷化钢片InP等”(见3.3.2); 增加了“SCW表示太阳能切割片”(见3.3.4); 一调整了外延片牌号表示方法排序(见3.4.1,1993年版的3.4); 增加了示例“如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化钢外 延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化钢外延片InP等"(见3.4.2); 增加了牌号中字母表示方法(见附录A)。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公 司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科 技发展有限公司,苏州协鑫光伏科技有限公司,天津市环欧半导体材料技术有限公司 本标准主要起草人:楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、 张雪窗、丁晓民、贺东江。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T14844—1993。 1 GB/T 14844—2018 半导体材料牌号表示方法 1范围 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照 执行。 2 牌号分类 按照晶体结构和产品形状,半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类,牌号中涉及的字母 含义参见附录A。 SAC 3片 牌号表示方法 3.1多晶牌号 3.1.1 多晶的牌号表示为: L -4 -3 -2 -1 其中: 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项 3.1.2牌号的第一项中第1位P表示多晶,后几位用分子式表示多晶名称,如硅Si、锗Ge等。 3.1.3牌号的第二项表示多晶的生产方法,用英文第一个字母的大写形式表示,其中: T表示三氯氢硅法; a) b) S表示硅烷法; c) R表示还原法; d)2 Z表示区熔法; F表示流化床法; a f) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行 3.1.4牌号的第三项表示多晶的形状,用英文第一个字母的大写形式表示,其中: 1表示棒状; a) b)C表示块状; c) G表示颗粒状; (P 其他多晶形状表示形式参照以上方法进行。 3.1.5牌号的第四项表示多晶产品的等级,用阿拉伯数字或英文字母表示。 1 GB/T14844—2018 3.1.6牌号的第五项表示多晶的特殊用途,用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示,其中: a)E表示电子级用途; b) S表示太阳能级用途; c)IR表示红外光学用途; d)其他用途表示形式参照以上方法进行。 3.1.7若多晶产品不强调生产方法、用途或形状等,其牌号相应部分可省略,省略部分用N/A表示。 3.1.8多晶的牌号表示见示例1~示例4。 示例1:PSi-T-I-1-E表示三氯氢硅法生产的一级棒状电子级多晶硅 示例2:PSi-N/A-C-1-N/A表示一级块状多晶硅。 示例3PGe-Z-N/A-1-N/A表示一级区熔锗锭。 示例4:PGe-R-N/A-1-N/A表示一级还原锗锭 3.2 单晶牌号 3.2.1单晶的牌号表示为: 交-00-0-0 -4 3 -2 -1 其中: 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 注:太阳能铸锭法多晶或类单晶参照单晶的牌号表示方法 SAC 3.2.2牌号的第一项用分子式表示单晶的名称,如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单 晶Ge、化钢单晶InSb、磷化镓单晶GaP和磷化钢单晶InP等 3.2.3牌号的第二项表示单晶的生产方法,用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示,其中: a)CZ表示直拉法; b) FZ表示悬浮区熔法; c) HB表示水平法; d)LEC表示液封直拉法; MCZ表示磁场拉晶法; f) C表示铸锭法; 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。 g) 3.2.4牌号的第三项中用N或P表示导电类型,括号内元素符号表示杂剂。例如N型导电类型掺 杂元素有磷P、锑Sb、砷As,P型导电类型掺杂元素有硼B,中子嫂变掺杂法用NTD表示,区熔气相掺 杂用FGD表示等。 3.2.5牌号的第四项用密勒指数表示晶向,如晶向<111)、《100)和<110)等。 3.2.7单晶的牌号表示见示例1~示例4。 示例1:Si-CZ-P(B)-(100)表示晶向为(100)的P型掺硼直拉硅单晶 示例2:Si-FZ-N(N/A)-<111>表示晶向为<111>的N型悬浮区熔硅单晶。 示例3:GaAs-HB-N(Si)-<100表示晶向为<100>的N型掺硅水平碑化镓单晶 示例4:GaAs-LEC-(N/A)(Cr十O)-(100)表示晶向为(100)掺铬和氧的液封直拉砷化单晶。 2 GB/T 14844—2018 3.3晶片牌号 3.3.1晶片的牌号表示为: 4 -3 2 其中: 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项 3.3.2牌号的第一项用分子式表示晶片的名称,如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑 化钢片InSb、磷化片GaP和磷化钢片InP等。 3.3.3牌号的第二项表示晶片的生产方法,其表示方法同3.2.3。 3.3.4牌号的第三项表示晶片种类,用英文第一个字母组合的大写形式表示,其中: CW表示切割片; a) b) LW表示单面研磨片; c) DLW表示双面研磨片; d) EtW表示腐蚀片; e) PW表示单面抛光片; f) DPW表示双面抛光片; DW表示扩散片; g) h) AW表示退火片; i) SCW表示太阳能切割片; i 其他晶片种类表示形式参照以上方法进行。 3.3.5牌号的第四项中用N或P表示导电类型,括号内元素符号表示掺杂剂。例如N型导电类型掺 用FGD表示等。 3.3.6牌号的第五项用密勒指数表示晶向,如晶向<111)、<100)和<110)等。 3.3.7若晶片不强调晶体生产方法,或晶体不掺杂时,其牌号的相应部分可省略,省略部分用N/A 表示。 3.3.8晶片的牌号表示见示例1~示例2。 示例1:Si-CZ-PW-N(Sb)-<111)表示晶向为<111>的N型掺锑直拉硅单晶单面抛光片。 3.4外延片牌号 3.4.1外延片的牌号表示为: 口- 口-0 -<) 4 3 -2 3 GB/T14844—2018 其中: 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.4.2牌号的第一项用分子式表示外延片的名称,如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片Ge、锑化钢外延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化铟外延片InP等。 3.4.3牌号第二项表示外延片的生产方法,用英文第一个字母组合的大写形式表示,其中: a)VPE表示气相外延; b)LPE表示液相外延; MBE表示分子束外延; d) MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。 3.4.4牌号的第三项表示外延片的结构,括号内用元素符号表示衬底掺杂剂,如掺磷P、掺Sb、掺砷 As、掺硼B等。其中: a) n/n+表示在n+型衬底上生长N型外延层; b)p/p+表示在p+型衬底上生长P型外延层; d)n/I(或p/I)表示在绝缘衬底上生产N型(或P型)外延层; e)n/p/n表示在N型衬底上先生长P型外延层,再生长N型外延层,其他多层外延片结构的表 示方法以此类推; f)n/SI表示在半绝缘衬底上生产N型外延层。 3.4.5牌号的第四项用密勒指数表示晶向

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