ICS 77.150.30 H 62 中华人民共和国国家标准 GB/T39159—2020 集成电路用高纯铜合金靶材 High purity copper alloy target for integrated circuit 2020-11-19发布 2021-10-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T39159—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国有色金属工业协会提出 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。 本标准起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司、宁波微泰真空技术 有限公司。 本标准主要起草人：曹欢欢、袁海军、姚力军、王学泽、曾浩、边逸军、钟伟华、周友平、贺昕、慕二龙 高岩、江伟龙。 1 GB/T 39159—2020 集成电路用高纯铜合金靶材 1范围 本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材（以下简称靶材）的分类、技术要求、试验方法、检验规则 及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容 本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝（CuAI)合金靶材和高纯铜锰（CuMn）合金靶材。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T8651 金属板材超声板波探伤方法 GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T36165金属平均晶粒度的测定电子背散射衍射（EBSD)法 YS/T347 铜及铜合金平均晶粒度测定方法 YS/T 482 铜及铜合金分析方法光电发射光谱法 YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 YS/T922 高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 靶材target 在溅射沉积技术中的阴极部分。该阴极材料在带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形 式脱离阴极而在阳极表面沉积。 3.2 靶坏targetblank 阴极上用作溅射材料的材料。 3.3 背板 反backingplate 用来支撑或固定靶材的材料。 注：靶坏与背板可以通过焊接（如钎焊、电子束焊、扩散焊等）、机械复合、粘接等方式连接。 3.4 表面粗糙度 surfaceroughness Ra 加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。轮廓的平均算术偏差值Ra，即在一定测量长度1 范围内，轮廓上各点至中线距离绝对值的平均算术偏差。用公式表示： SAG 1 GB/T39159—2020 Ra: yI da 4分类 4.1 靶材按照结构形式分为复合体靶材和单体靶材，结构示意图如图1所示 靶坏 背板一 复合体靶材 a) b）单体靶材 图1 靶材结构示意图 4.2 靶材按照合金成分不同，分为高纯CuAl合金靶材和高纯CuMn合金靶材。 4.3 产品牌号应符合表1的规定。 表1牌号 靶材种类 牌号 高纯CuAl合金靶材 Cu-0.11%Al 高纯CuMn合金靶材 Cu-0.26% Mn Cu-0.43% Mn Cu-0.60%Mn Cu-0.69%Mn Cu-0.86%Mn 5 技术要求 5.1 化学成分 高纯CuAl合金靶材的化学成分要求应符合表2规定，高纯CuMn合金靶材的化学成分要求应符 合表3规定。 表 2 高纯CuAI合金靶材的化学成分 牌号 Cu-0.11%Al AI含量（质量分数）/% 0.11±0.01 Cu+Al含量（质量分数）/%，不小于 666666 Ag 0.3 As 0.02 B 0.01 18 杂质元素含量 0.02 （质量分数）/10-4%，不大于 Ca 0.02 Cd 0.05 Co 0.02 0.02 2 GB/T39159—2020 表2(续) Fe 0.2 K 0.02 Li 0.02 Mg 0.05 Mn 0.05 Na 0.02 Nb 0.01 IN 0.1 P 0.02 杂质元素含量 （质量分数）/10-+%，不大于 Sb 0.02 Is 0.1 us 0.02 Th 0.0005 U 0.000 5 0.001 W 0.1 Zn 0.05 Zr 0.02 c 1. H 1 0 气体杂质元素含量 1 （质量分数）/10-+%，不大于 N S 0.1 CI 1 注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 “Cu+AI含量为100%减去表中杂质元素实测总和的余量（不含C、H、O、N、S、CI） 表3 3高纯CuMn合金靶材的化学成分 牌号 Cu-0.26%Mn Cu-0.43% Mn Cu-0.60%Mn Cu-0.69%Mn Cu-0.86%Mn Mn含量（质量分数）/% 0.26±0.03 0.43±0.04 0.60±0.03 0.69±0.03 0.86±0.09 Cu+Mn含量 99.9999 99.999 9 99.999 9 99.9999 99.9999 （质量分数）/%，不小于 0.3 Ag 0.3 0.3 0 0.3 杂质元素含量 Al 0.05 0.05 0.05 （质量分数）/10-1%， 0.05 0.05 不大于 As 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 3 GB/T39159—2020 表3（续) Au 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.01 0.01 B 0.01 0.01 0.01 Bi 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 Ca 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 Cd 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Co 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.02 0.02 0.02 Cr 0.02 0.02 Fe 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.02 K 0.02 0.02 0.02 0.02 Li 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 Mg 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Mo 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 杂质元素含量 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 （质量分数）/10-4%， Ni 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 不大于 P 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 Pb 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Sb 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.1 Is 0.1 0.1 0.1 0.1 Sn 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 Te 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Th 0.000 5 0.0005 0.0005 0.0005 0.0005 0.05 Ti 0.05 0.05 0.05 0.05 0.0005 0.0005 0.0005 0.0005 0.0005 V 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 W .0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Zn 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Zr 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 1 1 1 c 1 1 1 H 1 1 1 气体杂质元素含量 1 1 1 0 1 （质量分数）/10-%， N 1 1 1 1 1 不大于 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 CI 1 1 1 1 1 注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 "Cu十Mn含量为100%减去表中杂质元素实测总和的余量（不含C、H、O、N、S.CI） 4 GB/T39159—2020 5.2 晶粒度 产品晶粒度应符合表4的规定，并且晶粒大小分布均匀。需方如有特殊要求时，由供需双方商定， 并在订货单（或合同)中注明。 表4晶粒度 晶粒度/μum 靶材种类 平均值 最大值 细晶 100 CuAl合金靶材 超细晶 细晶 ≤100 CuMn合金靶材 超细晶 ≤10 5.3 内部质量 产品内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷。 5.4 焊接质量 复合体靶材的焊接质量应符合表5的规定。 表5焊接质量 焊接方式 焊接结合率 单个未焊合间隙面积/总面积 扩散焊 ≥99% ≤0.5% 5.5 外形尺寸及允许偏差 产品尺寸、规格及结构方式二般由需方提供图纸。靶材及靶坏的外形尺寸及其允许偏差应符合 表6规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 表6外形尺寸及允许偏差 单位为毫米 编号 靶材直径 靶坏直径 直径允许偏差 靶材厚度 靶坏厚度 厚度允许偏差 523.88 ±0.13 523.88 25.4 25.4 1 ±0.10 523.88 443.85 ±0.13 2 25.4 20.32 ±0.10 3 523.88 443.85 ±0.13 25.4 16.51 ±0.10 523.88 443.85 ±0.13 17 25.4 4 ±0.10 5.6 表面粗糙度 产品表面粗糙度应符合图纸要求，图纸无要求时Ra值应不大于0.8um。 5.7 外观质量 产品表面应清洁光滑，无指痕、油污和锈蚀，无颗粒附加物和其他沾污，无凹坑、划伤、裂纹、凸起等 5