ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42974—2023 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH) Semiconductor integrated circuits- Flash memory(FLASH) 2024-01-01实施 2023-09-07发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42974—2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 技有限公司、存心科技（北京）有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗（惠州）电子科技有限公司。 本文件主要起草人：罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、 李敬、李海龙。 GB/T42974—2023 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH） 1范围 本文件规定了快闪存储器（FLASH)的分类，技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T191包装储运图示标志 GB/T4937.3半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 GB/T 4937.4 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T 4937.11 半导体器件机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化双液槽法 GB/T 4937.13 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 GB/T 4937.14 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 GB/T4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 GB/T 4937.26 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人 体模型（HBM) GB/T 4937.27 半导体器件 不 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试机 器模型（MM） GB/T 91781 集成电路术语 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 GB/T35003非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T36477—2018半导体集成电路快闪存储器测试方法 IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductordevices- Mechanical and climatic test methods-Part 6:Storage at high temperature) IEC6o749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductordevices一Me chanical and climatic test methodsPart 8:Sealing) IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 9:Permanence of marking) IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿-无偏置强加速应力试 验(Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 24:Accelerated moisture re- sistance-Unbiased HAST) 1 GB/T42974—2023 IEC60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD)敏感度测试带 电器件模型（CDM）器件级（Semiconductordevices—Mechanical andclimatictestmethods一Part28： Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testingCharged device model(CDM) device level) IEC60749-36半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度（Semiconductorde vices-Mechanical and climatic test methods-Part 36:Acceleration,steady state) 3术语和定义 GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。 4分类 4.1结构 4.1.1一般原则 NAND型FLASH存储单元排列密、写入擦除速度快，宜用于存储数据信息。 NOR型FLASH存储单元稳定、寻址效率高，宜用于存储程序代码 4.1.2NAND型 NAND型FLASH的存储阵列中，同一位线上的存储单元是串联关系。 NAND型FLASH阵列以页为单位读取数据并存人缓存，缓存中的数据可以任意读取 4.1.3 NOR型 NOR型FLASH的存储阵列中，同一位线上的存储单元是并联关系。 NOR型FLASH阵列可以最小单位为字节的任意长度读取数据。 NOR型FLASH写人数据的最小单位是字节，擦除数据的单位是块或扇区。 4.2接口类型 4.2.1SPI串行接口 SPI串行接口模式配备四类信号接口，即串行输人时钟信号（SCLK）、片选信号（CS#）、串行数据 输入信号（SI)、串行数据输出信号（SO）。 输入数据在时钟上升沿采样，输出数据在时钟下降沿输出。 多端口传输模式下，数据可以由多个数据端口输入或输出。 信号接口包含串行输人时钟信号（SCLK）、片选信号（CS#），以及多个串行数据输人或输出信号。 串行数据输人或输出信号的个数为2的正整数幂。 4.2.2并行接口 并行接口NOR型FLASH接口模式可以分为8口输人/输出（1/O）、16口输人/输出（I/O）、32口 输入/输出（I/O），代表并行数据传输线的引出端数量，用于输入命令/数据，输出数据。地址输入端（A） 用来输入地址。此外还包含片选信号（CE#）、输出使能信号（OE#）、写使能信号（WE#）、就绪/忙碌 状态输出信号（R/B#）、写保护使能信号（WP#）等。 2 GB/T42974-—2023 并行接口NAND型FLASH接口模式可以分为8口输入/输出（I/O）、16口输人/输出（I/O）、32 口输入/输出（1/〇），代表并行数据传输线的引出端数量，用于输入地址/数据/命令，输出数据。此外还 （WE#）、就绪/忙碌状态输出信号（R/B#）、写保护使能信号（WP#）等。 5 5技术要求 5.1温度 5.1.1工作温度 a) 0℃～70℃; b)-40℃～85℃; c)-40℃~105℃; d)-40℃~125℃; e) -55℃~125℃。 5.1.2 购存温度 贮存温度范围宜比工作温度范围更宽 FLASH的贮存温度宜为：一65℃~150℃ 5.2供电 FLASH由直流电源供电，电源电压可为： a) 5.0 V; b) 3.3 V; c) 2.5 V; d)1.8 V; e) 1.2 V; f）其他。 FLASH可以同时支持以上的一种或多种电源电压。 FLASH应支持欠压写入/擦除保护功能。 5.3功能 5.3.1数据写入 FLASH支持从输人/输出端（I/O)接收地址和数据信号，并将数据写入存储阵列中相应地址处。 对于并行接口NOR型FLASH，地址信号由地址输入端（A）接收。 5.3.2数据读取 FLASH支持从输人/输出端(I/O)接收地址，并将该地址的数据从输入/输出端(I/O)输出。 对于并行接口NOR型FLASH，地址信号由地址输人端（A)接收。 3 GB/T42974—2023 5.3.3 数据擦除 FLASH支持从输人/输出端（I/O)接收地址信号，并将该地址的数据擦除。 对于并行接口NOR型FLASH，地址信号由地址输人端（A)接收。 5.4 电特性 5.4.1 静态电参数 静态电参数的条目与FLASH的具体功能相关。 表1给出的参数是基于满足最基本的读取、写入、擦除三类操作所需的静态电参数。 表 1 静态电参数 参数 符号 IuI 输入端漏电流 输出端漏电流 Io 待机电流 Iec (standby / I sb 数据读取电流 Ic(read) 数据写人电流 Ic(pogram) Iecrise) 数据擦除电流 输人高电平电压 VH Viu. 输人低电平电压 输出高电平电压 VoH 输出低电平电压 VoL 5.4.2动态电参数 动态电参数的条目与FLASH的具体功能相关。 表2、表3、表4给出的参数是基于满足最基本的读取、写人、擦除三类操作所需的动态电参数。 SPI串行接口FLASH应规定表2中的动态电性能指标，并行NAND接口FLASH应规定表3中 的动态电性能指标，并行NOR接口FLASH应规定表4中的动态电性能指标。 表2SPI串行接口FLASH动态电参数 参数 符号 时钟频率 fe 片选信号建立时间 ISLCH 片选信号保持时间 tCHSH 片选失效信号建立时间 tSHCH 片选失效信号保持时间 teHsL. 4 GB/T