ICS 77.040 H 25 中华人民共和国国家标准 GB/T 34481—2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 （EPD）的测量方法 Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices 2018-07-01实施 2017-10-14 发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 34481—2017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆业股份有限公司、中科院半导 体研究所。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、董汝昆 GB/T 34481—2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 (EPD)的测量方法 1范围 本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm²、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错 腐蚀坑密度。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 3方法提要 锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后，用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目。位错腐蚀 坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积。锗单晶片主要有0°（100）偏（111)6°和（100）偏 （111)9°三种，其位错图像分别如图1、图2、图3所示。 图10°200× 图2(100)偏(111)6° 200x 图3（100)偏111)9°200× 1 GB/T 34481—2017 4仪器 金相显微镜，选取目镜10×，物镜20×，测量视场面积为1mm²。 注：为精确测量腐蚀坑密度，用标准量具精确测量视场面积。 5测量步骤 5.1试样制备 本标准中储单晶位错密度测试片的制备方法按GB/T5252的规定进行。 5.2选择测量点 5.2.1以直径100mm锗单晶测试片为例，测量点如图4所示。对直径100mm错单晶测试片，方格边 长为13mm，总测量点37个，测量点19在晶片中心。75mm、150mm锗单晶测试片的方格边长分别 为10 mm、21.8 mm。 5.2.2各测量点应位于每个方格的中心。 14 15 16 21 22 23 24 28 29 25 34 30 31 35 36 37 图4100mm锗单晶片测量点示意图 5.3 记录腐蚀坑数目 对区域1测量点视场面积内的腐蚀坑（其中心应在测量视场内）进行计数。如果腐蚀坑之间间隔太 近而难以计数，可提高放大倍数。计数完毕后，记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数。对所有其他测量 点重复上述操作，即对晶片从第2个区域计数到第37个区域， 测试结果的计算 每个测量点视场内的腐蚀坑密度按式（1）计算： n: nd = ...(1) s 2 GB/T 34481—2017 式中： 单个测量点的腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm）； nd 穿过视场面积s的腐蚀坑数目，单位为个； n: 视场面积（确定测量点，放大200倍），单位为平方厘米（cm）。 平均位错腐蚀坑密度N.按式（2)计算： Na= ..(2) 37 式中： Na 平均位错腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm）。 7. 精密度 N1、N,为不同检测实验室对相同锗单晶测试片37个区域选取的37个测量点所检测的平均位错 密度，检测结果的允许误差应在20%以内，具体见表1。 表 1 范围 允许误差 锗单晶测试片上37个测量点的EPD平均值 -20%≤(Ni-N2)/N2≤20% 8 试验报告 试验报告应包括以下内容： a） 试样编号； 本标准编号； c) 测试结果（包括各个测量点的腐蚀坑密度和平均腐蚀坑密度）； (P 试验者和试验日期等。